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　　忆阻器（Memristor，Memory Resistor）是继电阻、电感和电容之后发现的第四种基本电路元件，由美国科学家Leon Chua（蔡少棠教授）在1971年首次提出概念，并于2008年由惠普实验室实现了物理器件。忆阻器具有非易失性存储特性，其电阻值会根据其流过的电流大小和方向发生变化，并能记住其断电前的状态。这种特性使忆阻器在存储器、神经网络模拟、逻辑电路等领域具有广阔的应用前景。

　　根据材料和物理机制，忆阻器件可分为阻变存储器（Resistive Random-Access Memory, 简称RRAM或ReRAM)，相变存储器（PCRAM），磁随机存储器（MRAM）和铁电随机存储器（FeRAM）等不同种类。此外还有光电忆阻器、有机材料忆阻器、流体忆阻器等。

　　忆阻器件有两个典型的阻值状态,分别是高阻态(HRS)和低阻态(LRS),高阻态具有很高的阻值,通常为几kΩ到几MΩ,低阻态具有较低的阻值,通常为几百Ω。

　　1. 高精度数字源表（SMU）、2. 探针台、3. 低频信号发生器、4. 示波器、5. 任意波形发生器（AWG）、6. 频率响应分析仪、7. 脉冲放大器、8. 偏置桥、9. 第三方TIA（跨阻放大器）、10. 定制软件。